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碳化硅研磨

碳化硅研磨

  • 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

    2023年4月28日  研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。2 天之前  摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展 ...碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网2020年12月8日  SiC单晶片的超精密加工工艺,按照其加工顺序,主要经历以下几个过程:定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)和超精密抛光(化学机械抛光)。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎

  • 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

    2023年8月8日  案例分析:用于碳化硅等先进材料的金刚石抛光液. 与传统的CMP方法相比,Qual Diamond自主研发的金刚石抛光液提供了更高的去除率(它可以将8到24小时的蓝宝石基板抛光时间缩短到14-40),大大减少了处理时间和步骤。 抛光后的表面光滑、均匀、干净,没有明显损伤。 更重要的是,环保指数高,成本较为低廉,易于使用和清洁。 2. 2024年3月7日  文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术,以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时,文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力,并邀请业界人士参加PME CHINA 2024,以探索更多相关技术和解决方案「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案,实现 ...2023年11月18日  SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。. 碳化硅晶圆制造过程中,为了确保顺利产出高质量、高性能的产品,每一步操作都需要非常精确。. 其中,碳化硅衬底的研磨抛光尤为重要,因为它直接影响到芯片的质量和性能。. 为了实现 ...SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。

  • SiC的化学机械抛光技术:实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...

    2024年2月4日  碳化硅晶片的化学机械抛光技术(CMP)是一种先进的表面处理技术,结合化学腐蚀和机械研磨的方法,通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备,实现对碳化硅晶片表面的精细处理,达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。2021年12月9日  针对传统研磨方法加工单晶碳化硅晶片存在的材料去除率低、磨料易团聚等问题,本文提出超声振动辅助研磨方法,并探究不同工艺参数(转速、磨料质量分数、抛光压力、磨料粒径)对单晶碳化硅晶片研磨效率和表面质量的影响规律。超声振动辅助研磨单晶碳化硅晶片工艺研究2016年12月14日  碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用。 利用当代技术,人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。 这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性,如:碳化硅 (SiC):历史与应用 DigiKey

  • 特种化学品和工程材料 碳化硅 (SiC) - Entegris

    2022年6月27日  碳化硅 (SiC) 研磨液. 用于量产低缺陷功率和半绝缘 SiC (碳化硅)基板的高性能研磨液. Entegris 是 SiC(碳化硅)抛光研磨液的市场领导者。 该产品旨 在满足 Si 面、C 面和多晶 SiC 晶圆从研磨到 CMP 处理等基 板制造工艺流程中的各种抛光规格要求。 我们针对批量生产和单 晶圆 CMP 系统提供优化的解决方案,使用成本低,而且先进的 配 2023年4月28日  研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎2 天之前  摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展 ...碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

  • 工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎

    2020年12月8日  SiC单晶片的超精密加工工艺,按照其加工顺序,主要经历以下几个过程:定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)和超精密抛光(化学机械抛光)。2023年8月8日  案例分析:用于碳化硅等先进材料的金刚石抛光液. 与传统的CMP方法相比,Qual Diamond自主研发的金刚石抛光液提供了更高的去除率(它可以将8到24小时的蓝宝石基板抛光时间缩短到14-40),大大减少了处理时间和步骤。 抛光后的表面光滑、均匀、干净,没有明显损伤。 更重要的是,环保指数高,成本较为低廉,易于使用和清洁。 2. 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎2024年3月7日  文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术,以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时,文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力,并邀请业界人士参加PME CHINA 2024,以探索更多相关技术和解决方案「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案,实现 ...

  • SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。

    2023年11月18日  SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。. 碳化硅晶圆制造过程中,为了确保顺利产出高质量、高性能的产品,每一步操作都需要非常精确。. 其中,碳化硅衬底的研磨抛光尤为重要,因为它直接影响到芯片的质量和性能。. 为了实现 ...2024年2月4日  碳化硅晶片的化学机械抛光技术(CMP)是一种先进的表面处理技术,结合化学腐蚀和机械研磨的方法,通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备,实现对碳化硅晶片表面的精细处理,达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。SiC的化学机械抛光技术:实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...2021年12月9日  针对传统研磨方法加工单晶碳化硅晶片存在的材料去除率低、磨料易团聚等问题,本文提出超声振动辅助研磨方法,并探究不同工艺参数(转速、磨料质量分数、抛光压力、磨料粒径)对单晶碳化硅晶片研磨效率和表面质量的影响规律。超声振动辅助研磨单晶碳化硅晶片工艺研究

  • 碳化硅 (SiC):历史与应用 DigiKey

    2016年12月14日  碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用。 利用当代技术,人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。 这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性,如:2022年6月27日  碳化硅 (SiC) 研磨液. 用于量产低缺陷功率和半绝缘 SiC (碳化硅)基板的高性能研磨液. Entegris 是 SiC(碳化硅)抛光研磨液的市场领导者。 该产品旨 在满足 Si 面、C 面和多晶 SiC 晶圆从研磨到 CMP 处理等基 板制造工艺流程中的各种抛光规格要求。 我们针对批量生产和单 晶圆 CMP 系统提供优化的解决方案,使用成本低,而且先进的 配 特种化学品和工程材料 碳化硅 (SiC) - Entegris2023年4月28日  研磨工艺是去除切割过程中造成碳化硅晶片的表面刀纹以及表面损伤层,修复切割产生的变形。 由于SiC的高硬度,研磨过程中必须使用高硬度的磨料(如碳化硼或金刚石粉)研磨SiC切片的晶体表面。详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

  • 碳化硅衬底磨抛加工技术的研究进展与发展趋势 - 艾邦半导体网

    2 天之前  摘要. 碳化硅衬底难加工的材料特性叠加其大尺寸化、超薄化的放大效应,给现有的加工技术带来了巨大的挑战,高效率、高质量的碳化硅衬底加工技术成了当下的研究热点.本文综述了碳化硅衬底机械磨抛加工技术和化学反应磨抛加工技术的研究进展 ...2020年12月8日  SiC单晶片的超精密加工工艺,按照其加工顺序,主要经历以下几个过程:定向切割、研磨(粗研磨、精研磨)、抛光(机械抛光)和超精密抛光(化学机械抛光)。工艺详解碳化硅晶片的工艺流程 - 知乎2023年8月8日  案例分析:用于碳化硅等先进材料的金刚石抛光液. 与传统的CMP方法相比,Qual Diamond自主研发的金刚石抛光液提供了更高的去除率(它可以将8到24小时的蓝宝石基板抛光时间缩短到14-40),大大减少了处理时间和步骤。 抛光后的表面光滑、均匀、干净,没有明显损伤。 更重要的是,环保指数高,成本较为低廉,易于使用和清洁。 2. 详解碳化硅晶片的磨抛工艺方案 - 知乎

  • 「碳化硅」晶圆制造及精密磨削、抛光、清洗解决方案,实现 ...

    2024年3月7日  文章探讨了碳化硅晶圆制造中的各种精密加工技术,以及它们如何帮助实现产品的高性能和高可靠性。同时,文章也提到了中国在全球碳化硅晶圆市场中的增长潜力,并邀请业界人士参加PME CHINA 2024,以探索更多相关技术和解决方案2023年11月18日  SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。. 碳化硅晶圆制造过程中,为了确保顺利产出高质量、高性能的产品,每一步操作都需要非常精确。. 其中,碳化硅衬底的研磨抛光尤为重要,因为它直接影响到芯片的质量和性能。. 为了实现 ...SiC衬底磨抛新工艺:突破成本壁垒,开启高效制造新时代。2024年2月4日  碳化硅晶片的化学机械抛光技术(CMP)是一种先进的表面处理技术,结合化学腐蚀和机械研磨的方法,通过选择合适的化学腐蚀剂、研磨剂、控制抛光参数和采用精密抛光设备,实现对碳化硅晶片表面的精细处理,达到超光滑、无缺陷及无损伤表面的效果。SiC的化学机械抛光技术:实现超光滑表面的秘诀 - ROHM ...

  • 超声振动辅助研磨单晶碳化硅晶片工艺研究

    2021年12月9日  针对传统研磨方法加工单晶碳化硅晶片存在的材料去除率低、磨料易团聚等问题,本文提出超声振动辅助研磨方法,并探究不同工艺参数(转速、磨料质量分数、抛光压力、磨料粒径)对单晶碳化硅晶片研磨效率和表面质量的影响规律。2016年12月14日  碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史,主要用于磨轮和众多其他研磨应用。 利用当代技术,人们已使用 SiC 开发出高质量的工业级陶瓷。 这些陶瓷展现出颇具优势的机械特性,如:碳化硅 (SiC):历史与应用 DigiKey2022年6月27日  碳化硅 (SiC) 研磨液. 用于量产低缺陷功率和半绝缘 SiC (碳化硅)基板的高性能研磨液. Entegris 是 SiC(碳化硅)抛光研磨液的市场领导者。 该产品旨 在满足 Si 面、C 面和多晶 SiC 晶圆从研磨到 CMP 处理等基 板制造工艺流程中的各种抛光规格要求。 我们针对批量生产和单 晶圆 CMP 系统提供优化的解决方案,使用成本低,而且先进的 配 特种化学品和工程材料 碳化硅 (SiC) - Entegris

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